[양태훈기자] 메모리 반도체 업황 악화에 대한 우려가 고개를 들면서 1위 업체인 삼성전자의 대응 전략에 관심이 쏠리고 있다.
최근 시장의 수요 부진 속에서 D램 및 낸드플래시 메모리의 공급과잉 논란이 일고 있는 것. 이에 따른 평균 판매가격이 하락으로 수익성에 적신호가 켜졌다.
삼성전자는 이에 대응, '20나노미터 공정 기반의 D램' 및 '수직구조의 V낸드플래시' 등 초격차 기술과 고부가 제품을 앞세워 이를 정면돌파하겠다는 전략이다.
29일 업계에 따르면 삼성전자는 20나노미터(nm, 10억분의 1미터) 미세공정 기반의 D램과 저장공간(메모리셀)을 수직으로 쌓는 3차원 적층방식의 V낸드플래시 공급량 확대에 집중하고 있다.
이는 삼성전자가 전 세계 반도체 업체 중 유일하게 양산에 성공한 선도 기술로 공급량 확대가 곧 수익으로 이어지기 때문이다.
업계 관계자는 "최근 메모리 시장의 수요 부진으로 D램 및 낸드플래시의 평균 판매가격이 떨어졌지만, 삼성전자는 20나노 D램과 V낸드플래시 제품군의 공급량을 집중적으로 확대해 수익이 오히려 좋아졌다"고 설명했다.
이어 "비트그로스(비트단위 생산량 증가율)도 D램은 20% 중반 이상, 낸드플래시는 30% 후반 이상이 예상된다"고 전했다.
실제로 시장조사업체 D램 익스체인지에 따르면 올해 2분기 전체 D램 시장의 평균 가격은 10% 이상 감소한 반면, 삼성전자의 마진율은 48%로 지난해 하반기와 비슷한 수준을 유지한 것으로 나타났다. 시장 점유율 역시 같은 기간 전분기 대비 2%포인트 늘어난 45.1%를 차지한 것으로 집계됐다.
증권업계에서도 올해 3분기 삼성전자 반도체 부문의 영업이익이 3조 6천억 원대로 시장 기대치를 상회할 것으로 낙관하고 있다.
NH투자증권의 이세철 연구원은 "반도체 부문 영업이익은 D램 가격 약세에도 불구하고 20나노 공정전환에 따른 원가 경쟁력 확대로 2분기 3조 4천억 원에서 3분기에는 3조 6천억 원으로 증가할 것"이라며, "반도체 부문은 메모리 수익성 극대화 및 시스템 반도체 자체 AP 설계로 경쟁력 강화가 예상된다"고 설명했다.
아울러 최근 출시한 3세대(48단) V낸드플래시 기반의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 제품군의 성과도 기대된다.
삼성전자는 최근 '삼성 SSD 글로벌 서밋'을 통해 3세대 V낸드플래시 기반의 소비자용 SSD와 초고속 비휘발성 메모리 익스프레스(NVMe) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD 등을 선보이며 SSD 시장 공략에 더욱 박차를 가하고 나섰다.
제품군은 기존 5개에서 이번 신제품 등 총 10개 제품군(39개 모델)으로 확대했고, 용량도 2테라바이트(TB)부터 6.4TB까지 크게 높여 프리미엄 SSD 시장을 적극 공략한다는 전략이다.
또 V낸드플래시 기술을 적용한 SSD를 'V낸드 SSD'로 브랜드화, 마케팅 강화를 통해 올해만 1천300만 개의 브랜드 화된 SSD를 출시할 계획이다.
업계 관계자는 "V낸드 SSD가 노리는 주요 시장은 기업 및 데이터센터용 SSD"이라며, "3세대 기술이 적용돼 가격과 성능 면에서 모두 경쟁사 대비 이점이 높아 공급물량도 계속 늘고 있는 추세"라고 설명했다.
한편, 삼성전자는 지난 2013년부터 2년 연속 세계 소비자용 SSD 시장 1위를 달성했다. 시장조사업체 트렌드포커스에 따르면 올해 2분기에는 43.8%의 점유율을 기록했다.
양태훈기자 flame@inews24.com
--comment--
첫 번째 댓글을 작성해 보세요.
댓글 바로가기