한양대'차세대메모리 산·학·연 공동연구센터' 개소식

차세대 메모리시장 선점을 위해 업계·학계가 공동연구에 돌입한다.

한양대학교(김종량 총장)는 26일 오전 임채민 지식경제부차관, 이병석 의원(민주당), 박영아 의원(한나라당), 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등을 비롯한 산·학·연 관계자 150여명을 초청, '차세대메모리 산학연 공동연구센터' 개소식을 갖는다.

차세대메모리 산학연 공동연구센터는 반도체분야 최초의 국내 대-대 연구개바(R&D) 상생협력 사업으로 지난 3월부터 지경부, 삼성전자, 하이닉스가 공동출연 구축했다.

차세대메모리 주력제품으로 유력한 STT-MRAM(Spin Transfer Torque - Magnetic Random Access Memory) 에 대한 연구개발을 맡게 된다.

STT-MRAM은 자성 재료의 전자의 자화 방향 변화를 통한 전기적 저항 차이가 발생되는 현상을 정보 저장에 이용한 메모리다.

우리나라는 세계최고의 공정기술을 바탕으로 지난 1993년이후 메모리 세계 1위를 차지하고 있으나, 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있는 형편.

향후 차세대 메모리에 대한 원천기술 확보시 현재의 글로벌 생산기지에서 R&D 중심기지로의 도약이 가능할 것이라는 게 정부측 판단이다.

지경부는 :이번 센터는 국내 최초, 세계에서 두 번째로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축되고, 세계 1, 2위 메모리기업(삼성전자, 하이닉스) 전문연구인력이 상주하여 공동 연구개발한다는 점에서 의미가 크다"고 평가했다.

한양대 차세대메모리사업단장 박재근 교수(차세대메모리연구센터총괄)는 "이번 연구센터가 200mm(8인치) 팹을 활용한 일본의 STT-MRAM기술수준과의 격차를 줄이게 될 것"이라고 설명했다.

아울러 "세계 최초로 STT-MRAM을 개발함으로써 2015년 이후 30나노급 이하 메모리 시장의 45% 이상을 점유하고, 메모리 세계 1위 기술 경쟁력 보유에 따른 자성 박막 공정 장비(sputter, etcher 등) 등 경쟁력도 확보 가능할 것"이라고 밝혔다.

한편, 정부에서는 이번 STT-MRAM 연구개발 사업외에도 차세대 비휘발성메모리에 대한 원천기술개발을 지원중이다.

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