인텔, 18A-P 시험생산 진입…성능 9%·전력 18% 개선

[아이뉴스24 권서아 기자] 인텔이 차세대 1.8나노급 공정인 '18A-P'를 시험생산(Risk Production) 단계에 올리며 첨단 공정 경쟁력 강화에 나섰다. 기존 18A 공정 대비 성능과 전력 효율을 높인 공정으로, 인공지능(AI) 서버와 고성능컴퓨팅(HPC)용 반도체 시장 공략을 위한 핵심 기술로 평가된다.

인텔은 17일(현지시간) 미국 하와이에서 열린 '2026 VLSI 심포지엄'에서 18A 제품군의 성능 개선 버전인 18A-P가 시험생산 단계에 진입했다고 밝혔다. 이는 지난해 고객사와 파트너사에 제시한 로드맵 일정에 따른 것이다.

18A-P는 인텔의 최첨단 공정인 18A를 기반으로 성능과 전력 효율을 개선한 파생 공정이다. 인텔에 따르면 동일 전력 조건에서 성능은 9% 향상됐으며, 동일 성능 기준 전력 소모는 18% 감소했다. 열 저항은 20~40%, 칩 내부 층간 연결 구조인 비아(Via) 저항은 10~30% 개선됐다.

이번 공정에는 새로운 트랜지스터 옵션인 '파워 부스트(Power Boost)'도 적용됐다. 구동 전류를 높여 더 높은 동작 주파수를 구현하는 기술로, AI 가속기와 서버용 프로세서 등 고성능 칩 설계에 활용될 전망이다.

18A-P는 인텔의 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 기술인 '리본펫(RibbonFET)'과 후면전력공급(BSPD) 기술인 '파워비아(PowerVia)'를 기반으로 한다. 인텔은 해당 기술을 통해 배선 면적을 11% 줄이고 동적 전압 강하를 10분의 1 수준으로 낮췄다고 설명했다. 이를 통해 기존 전면 배선 방식 대비 최대 6% 높은 동작 주파수 또는 15% 이상의 전력 절감 효과를 구현할 수 있다고 밝혔다.

인텔은 18A-P가 기존 18A와 설계 규칙이 완전히 호환된다는 점도 강조했다. 고객사는 기존 설계 자산(IP)과 개발 환경을 그대로 활용할 수 있어 개발 기간과 비용을 줄일 수 있다는 설명이다.

이날 인텔은 차세대 연구개발 성과도 함께 공개했다. 게이트올어라운드 이후 기술로 꼽히는 상보형 전계효과트랜지스터(CFET), 질화갈륨(GaN)과 실리콘(Si)을 결합한 전력반도체 기술, 루테늄 기반 차세대 배선 기술 등을 선보이며 중장기 공정 로드맵도 제시했다.

나가 찬드라세카란 인텔 파운드리 총괄 부사장은 "이번 VLSI 심포지엄에서 공개한 연구 성과는 인텔이 첨단 공정 혁신을 지속하고 있음을 보여주는 결과"라며 "18A-P 공정과 차세대 반도체 기술 개발에서도 의미 있는 진전을 이어가고 있다"고 말했다.