대만 TSMC "2나노 공정 양산 시작…성능·전력 효율 개선"

[아이뉴스24 권서아 기자] 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC가 올해 4분기 최첨단 2나노(나노·1㎚=10억분의 1m) 공정 제품의 양산에 들어갔다.

1일 연합보 등 대만 언론에 따르면 TSMC는 최근 공식 웹사이트를 통해 남부 가오슝 난쯔 과학단지에 위치한 22 팹(반도체 생산공장)에서 2나노(N2) 공정 제품을 양산 중이라고 밝혔다.

TSMC는 N2 공정에 1세대 게이트 올어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 적용해 성능과 전력 소비 측면에서 기존 공정보다 개선을 이뤘다고 설명했다. GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET) 구조에서 진화한 방식으로, 트랜지스터 채널을 감싸 전력 제어 효율을 높이는 것이 특징이다.

또 반도체 칩 상단의 전기적 연결을 개선하기 위해 재배선(RDL) 기술과 초고성능 금속 절연체 금속(SHPMIM) 커패시터를 적용해 표면저항(Rs)과 접촉저항(Rc)을 각각 약 50% 줄였다고 밝혔다. 이를 통해 표면저항(Rs)과 통과 저항(Rc)을 각각 50% 감소시켰다고 덧붙였다.

업계에서는 TSMC의 2나노 공정이 핀펫에서 GAA 나노시트 구조로 전환하는 첫 양산 공정이라는 점에서 기술적 의미가 크다는 평가가 나온다.

다른 소식통은 TSMC가 가오슝 22 팹에서 2나노 공정 양산을 공식화했지만, 북부 신주과학단지 바오산 지역의 20 팹 1공장에서 이미 양산이 먼저 시작됐다고 전했다.

그는 TSMC가 약 5만개에 달하는 22 팹과 20 팹의 월간 생산능력을 내년 말까지 10만개 이상, 2027년 20만개 이상으로 확대하는 방안을 고려 중이라고 전했다.

반도체 공정에서 '나노'는 회로 선폭을 의미하며, 선폭이 미세할수록 소비 전력은 줄고 처리 속도는 빨라진다.