SK하이닉스-삼성전자, HBM4 실물 공개하며 맞대결

[아이뉴스24 박지은 기자] SK하이닉스와 삼성전자가 22일 서울 강남구 코엑스에서 개막한 ‘제27회 반도체대전(SEDEX 2025)’에서 6세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4’ 실물을 처음 공개했다.

HBM4는 대역폭·전력 효율·용량이 모두 크게 향상돼, 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장의 중요한 분기점으로 꼽힌다.

SK하이닉스는 HBM4만을 위한 전용 공간을 마련해 손가락 한 마디 크기의 HBM4를 전시했다.

국립중앙박물관 상설 전시실 ‘사유의 방’에 국보 금동반가사유상 두 점만 놓인 것처럼, 이 공간에는 오직 HBM4만 전시됐다. HBM4를 구성하는 인터포저와 D램 베이스다이를 세로로 쌓은 형상의 조형물도 함께 설치됐다.

SK하이닉스는 2048비트 인터페이스와 핀당 10Gb/s 속도를 갖춘 12단(12Hi) HBM4를 세계 최초로 개발했다. 전작 대비 전력 효율은 40% 개선됐고, 데이터 입출력 폭은 두 배로 확대됐다.

HBM4는 개발을 마치고 고객사의 최종 양산 승인을 기다리는 단계로 알려졌다.

SK하이닉스는 또 기업용 고성능 솔리드스테이트드라이브(eSSD), 서버용 메모리 모듈(DIMM), 프로세싱 인 메모리(PIM) 등 차세대 메모리 제품을 함께 선보였다.

eSSD는 글로벌 AI 데이터센터 투자 확대와 함께 수요가 급증하고 있으며, PIM은 저장과 연산을 동시에 수행하는 차세대 메모리로 주목받고 있다.

반도체 제조 공정을 소개한 ‘본투비(本透備·Born to be)’ 전시에도 관람객 발길이 이어졌다.

삼성전자는 HBM3E와 HBM4를 나란히 전시했다. HBM3E가 정사각형에 가까운 형태라면, HBM4는 직사각형 비율이 더 길다.

삼성전자는 “HBM4는 AI 메모리의 한계를 넘어서는 성능과 효율의 새로운 기준이 될 것”이라며 “스택당 최대 2.8TB/s 대역폭을 제공하고 12단(36GB) 구성으로 고용량 AI 워크로드를 처리할 수 있다”고 설명했다.

2048비트 인터페이스를 적용해 데이터 처리 속도가 한층 빨라졌으며, 핀당 최고 전송속도는 1초에 11Gbps다.

삼성전자는 HBM4와 함께 파운드리, 첨단 패키징, 차세대 메모리, 모바일 애플리케이션프로세서(AP) ‘엑시노스’ 시리즈를 함께 전시해 ‘토털 반도체 기업’ 이미지를 강조했다.

최근 주력으로 부상한 2나노(㎚) 파운드리 공정에 대해서는 “게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터의 넓은 유효 채널 폭으로 저전력을 구현했고, 다양한 나노시트 폭으로 설계 유연성을 확보했다”고 소개했다.

‘갤럭시Z 플립7’에 전량 탑재된 엑시노스 2500도 함께 전시됐다.

삼성전자는 내년 출시 예정인 ‘갤럭시S26’ 시리즈 일부 모델에 엑시노스 2600을 탑재할 예정이며, 해당 칩은 2나노 공정에서 전량 생산 중이다.

차세대 메모리인 LPDDR6와 LPCAMM2도 부스를 통해 공개됐다.

한미반도체는 올해 처음으로 반도체대전에 참가해 HBM4 생산용 신규 장비 ‘TC본더4’, ‘2.5D 빅다이 TC본더’, ‘빅다이 FC본더’ 등을 선보였다. 이 중 TC본더4는 HBM4 양산을 위한 핵심 장비로, 지난 5월 출시된 모델이다.

TSMC와 협력 중인 반도체 디자인하우스 에이직랜드는 시스템온칩(SoC) 및 백엔드(Back-end) 설계 자동화 솔루션을 전시했다.

AI 반도체 설계 전문기업 세미파이브는 리벨리온·하이퍼엑셀·퓨리오사 칩이 새겨진 웨이퍼를 공개했다.

한편 이날 오후 2시부터 코엑스 세미나실에서는 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO), 성윤모 중앙대 석좌교수, 이진안 앰코테크놀로지코리아 대표가 ‘한계를 넘어 혁신을 잇다’를 주제로 기조 강연에 나선다.