양자점 활용 QLED 광전소자 발광효율 높인다

[아이뉴스24 정종오 기자] 양자점을 활용해 QLED(양자점발광다이오드) 광전소자 발광효율을 높일 수 있는 새로운 방법이 제시됐다.

기초과학연구원(IBS, 원장 노도영) 조민행 분자 분광학 및 동력학 연구단장(고려대 화학과 교수) 연구팀은 양자점 디스플레이(QLED) 등 양자점(Quantum Dot)을 활용하는 광전소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 새로운 방법을 제시했다.

양자점은 지름이 수 나노미터(nm) 수준인 반도체 입자다. 입자 크기에 따라 다른 주파수의 빛을 방출하는 등 독특한 광학적 성질을 지녀 QLED 등 다양한 광전소자로 응용되고 있다.

양자점과 같은 반도체는 전자가 존재할 수 있는 두 개의 밴드를 갖는다. 전자가 차 있는 아래쪽의 밴드를 ‘가전자대’, 전자가 비어있는 위쪽 밴드를 ‘전도대’, 이 둘 사이의 에너지 차이를 밴드갭(Band Gap)이라 부른다. 밴드갭보다 큰 외부 에너지(빛)를 받으면 가전자대에 있던 전자는 전도대로 들뜨게 된다.

이때 전자가 사라진 빈자리를 정공(hole)이라 하는데 정공은 전도대로 올라간 전자와 쌍을 이뤄 엑시톤(exciton)이라는 준입자를 형성한다. 엑시톤은 시간이 흐르면 에너지를 잃으며 정공과 재결합한다. 전자가 공급받았던 에너지를 다시 빛의 형태로 외부로 방출하는 것이 우리가 관찰하는 QLED 등 광전소자의 빛이다.

문제는 모든 엑시톤이 이처럼 이상적으로 빛을 방출하지는 않는다는 데 있다. 양자점 물질의 특성에 따라 엑시톤의 재결합은 다른 과정을 통해 일어나기도 한다. 대표적 현상이 두 개 엑시톤의 상호작용으로 발생하는 ‘오제 재결합(Biexciton Auger Recombination)’ 현상이다.

오제 재결합은 전자와 정공이 결합할 때 빛이 외부로 방출되지 않고 주변에 있는 다른 엑시톤에 에너지를 전달하는 현상이다. 빛이 밖으로 나오지 않기 때문에 양자점을 기반으로 하는 광전소자, 디스플레이의 효율을 향상시키는데 큰 걸림돌이다.

오제 재결합 현상을 억제하기 위한 많은 분광학 연구가 진행됐다. 기존 연구는 주로 양자점 자체의 구조적 특성을 변형하거나, 새로운 형태의 양자점 구조를 합성하는 방식으로 진행됐다. 이 때문에 오제 재결합 현상 자체를 능동적으로 제어하지는 못했다.

국내 연구팀은 크기 100nm 이하의 박막으로 만들어진 양자점을 메타물질 나노구조 위에 제작해 오제 재결합 현상을 탐구했다. 이 과정에서 수 피코 초(ps, 1조 분의 1초) 수준의 매우 짧은 시간에 일어나는 오제 재결합 현상을 관측했다. 나노구조로 오제 재결합 현상이 억제된다는 것을 발견했다.

연구팀은 나노구조가 오제 재결합 현상을 억제하는 메커니즘도 규명했다

조민행 단장은 “양자점 내부에서 자주 발생하는 오제 재결합 현상을 나노구조를 통해 제어할 수 있음을 최초로 증명했다”며 “외부 구조를 도입해 비(非)복사과정 중 하나인 오제 재결합을 억제 할 수 있어 광전소자의 효율 향상에 이바지할 수 있을 것”이라고 말했다.

연구결과(논문명: Tailoring Transition Dipole Moment in Colloidal Nanocrystal Thin Film on Nanocomposite Materials)는 광학 분야 국제학술지 ‘어드밴스드 옵티컬 머터리얼스(Advanced Optical Materials)’ 2021년 12월 23일자 온라인 판에 실렸다.

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