美스팬션, 삼성전자에 플래시 특허 소송

미국 플래시 메모리 제조업체인 스팬션이 17일(현지 시간) 삼성전자를 상대로 특허 침해 소송을 제기했다고 AP통신을 비롯한 주요 외신들이 보도했다.

낸드 플래시 제조에 폭 넓게 쓰이는 플로팅-게이트 구조가 자사 특허를 침해했다고 주장하고 있다.

스팬션은 이날 미국 국제무역위원회(ITC)와 델라웨어 지역법원에 제출한 소장을 통해 삼성전자의 플래시 메모리 제품을 포함한 MP3 플레이어, 휴대폰, 디지털 카메라 수 억 대를 미국 내에서 판매 금지해 줄 것을 요청했다.

이번 소송에서 스팬션이 승소할 경우 삼성전자의 플래시메모리를 탑재한 각종 제품들의 미국 내 판매가 큰 영향을 받을 것으로 우려된다.

스팬션은 이번 소송에서 삼성전자가 자사 특허를 침해해 만든 플래시메모리칩을 한 해 동안 70억달러 규모로 판매했다고 주장했다. 이 회사는 삼성전자 외에도 애플, 아수스, 킹스턴, 레노보, PNY, 리서치 인 모션(RIM), 소니, 소니 에릭슨, 트랜센드 등도 함께 제소했다고 외신들이 전했다.

보아즈 에이탄 스팬선 부사장은 "삼성이 특허권을 침해함으로써 스팬션에 손해를 입혔을 뿐 아니라 기술 혁신의 토대를 위협했다"고 주장했다.

◆CTF 기술도 비판

삼성전자는 지난 2006년 40나노미터 기술을 이용해 낸드 플래시 칩을 개발했다고 발표했다. 당시 삼성전자는 40나노 낸드 플래시에는 전통적인 플로팅-게이트 구조 대신 CTF(charge trap flash) 기술을 사용했다고 설명했다.

이와 함께 삼성전자는 자사 CTF 기술을 사용할 경우 낸드 크기를 20나노미터까지 줄일 수 있을 것이라고 강조했다.

스팬션 측은 삼성전자의 이 같은 전략이 자신들이 미러비트 노어 장치에 사용한 것과 유사한 방식을 따르고 있다고 주장하고 있다.

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