DDR3 D램 경쟁 달아오른다

중앙처리장치(CPU) 시장에서 치열하게 경쟁하는 인텔과 AMD가 DDR3 D램을 지원하는 칩셋을 내놓고, DDR3 D램이 탑재된 메인보드도 출시되기 시작하면서 메모리반도체 기업들의 경쟁이 가열되고 있다.

DDR3 D램은 현재 데스크톱 PC와 노트북의 메모리로 시장을 장악하고 있는 DDR2 D램에 비해 속도는 빠르고 소비전력은 낮은 제품으로, 차기 시장에서 D램 주력제품으로 부상할 전망이다.

9일 업계에 따르면 각 메모리반도체 기업들은 512메가비트(Mb) 및 1기가비트(Gb) DDR3 D램과 1~2기가바이트(GB) 언버퍼드(Unbuffered) DIMM 제품의 견본품을 CPU 업체들에 속속 제공하고 있는 것으로 나타났다.

국내 삼성전자와 하이닉스반도체를 비롯해 마이크론테크놀로지, 엘피다메모리, 키몬다, 난야테크놀로지 등 해외업체들은 이미 인텔로부터 DDR3 D램 제품의 인증을 마친 상태. 삼성전자와 하이닉스는 최근 데스크톱 PC용 DDR3 D램의 양산에 들어가며 시장 선점에 나서고 있다.

DDR3 D램의 핀당 동작속도는 초당 800Mb~1.6Gb로 400~800Mb의 DDR2 D램보다 두 배 정도 빠르다. 또 1.5V로 동작해 1.8V인 DDR2 D램과 비교해 25% 이상 전력 소모가 적은 것도 장점.

반면 현재 기준으로 DDR3 D램의 가격은 DDR2 D램보다 2~3배가 높아 상대적인 장점이 크게 부각되지 못하고 있다. 아직까지 1천메가헤르츠(MHz) 이상의 속도를 원활히 구현하는데 한계가 있다는 점도 약점으로 지적된다.

미국 EE타임즈는 "속도를 강제로 높인(오버클럭) DDR2 D램은 DDR3 D램보다 나은 속도를 보이기도 한다"며 "DDR3 D램이 확실한 강점을 가지려면 1천33MHz 내지 1천600MHz의 속도를 수행할 수 있어야 할 것"이라고 진단했다.

이 정도 속도를 내려면 60~70나노미터(nm) 미세공정 기술이 적용돼야 한다는 분석이다. 현재 삼성전자와 하이닉스는 80nm, 마이크론은 78nm를 적용한 DDR3 D램을 주로 생산하고 있다. 세계 메모리반도체 업계의 DDR3 D램 부문 60~70nm 적용은 이르면 올해 말부터 오는 2009년까지 순차적으로 진행될 전망이다.

이에 따라 DDR3와 DDR2가 본격적으로 경쟁할 것으로 예상되는 오는 2009년까지 메모리반도체 기업들의 미세공정 적용을 위한 기술 및 시장선점 경쟁은 한층 가열될 것으로 보인다.

업계는 향후 DDR3 D램이 점차 용량을 높여가며 우선 서버시장에 공급되기 시작한 뒤, 점차 PC시장으로 영역을 넓혀갈 것으로 보고 있다. 제품 가격이 DDR2 D램과 범접할 정도로 떨어질 것으로 예상하고 있는 것은 물론이다.

시장조사기관 아이서플라이에 따르면 올해 1분기 기준 D램 수요는 DDR2 제품이 71%로 압도적인 우위를 보이고 있다. DDR3 D램은 2.8%로 DDR D램(9%), 그래픽 D램(7%), 모바일 D램(4.6%)보다도 낮은 비중을 차지하고 있다.

그러나 DDR3 D램의 수요 비중은 내년 19%, 2009년 40%, 2010년엔 63%까지 치솟을 전망이다. DDR2 D램은 내년까지 62% 비중으로 시장을 장악하지만, 2009년과 2010년엔 43%, 22%까지 수요가 줄 것으로 예측되고 있다.

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