삼성전자, 경기화성 12라인 건설 위해 1천335억 투자

삼성전자가 경기도 화성 반도체공장 12라인 건설을 위해 1천335억원을 추가로 투자키로 했다.

삼성전자는 올해 3분기중 골조공사를 시작해 내년 1분기 안에 골조 공사를 완료한다는 목표로 이같이 투자키로 했다고 6일 공시를 통해 발표했다.

이에 따라 300mm 웨이퍼 전용공장인 화성 12라인은 내년 하반기쯤 본격 가동될 수 있을 것으로 보인다.

삼성전자 관계자는 "D램, 플래시메모리 등 메모리 반도체가 주로 생산될 것"이라고 밝혔지만 "생산능력이나 구체적인 생산시기는 아직 미정"이라고 말했다.

삼성전자의 화성 12라인 투자결정은 앞으로도 전세계 D램시장의 주도권을 계속 쥐고가려는 의지로 풀이된다.

올해 초 반도체 부문에 3조원 규모를 투자할 계획이던 이 회사는 설비투자비를 계속 늘려 총 4조8천800억원을 투입키로 했고 또다시 1천300여 억원을 추가 투입키로 했다.

삼성전자 관계자는 "지난 5일 경영위원회를 열고 메모리반도체 사업의 경쟁력 강화를 위해 이같은 추가투자를 최종 결정했다"고 밝혔다. 이는 최근 곤두박질치는 주가 방어를 위해 결정내용을 앞당겨 밝힌 것으로 보인다.

웨이퍼는 반도체 칩 제조를 위한 재료로 쓰이며 지름이 300mm인 실리콘 웨이퍼는 기존 200mm 웨이퍼에 비해 약 2.5배의 칩이 더 생산된다.

삼성전자는 기흥 11라인 일부에서도 300mm 웨이퍼를 가공, 생산하고 있으며 현재 월 3천매에서 7천매로 생산능력을 끌어올리는 계획을 추진하고 있다.