반도체 제조공정인 플라즈마 화학증착 공정이나 식각공정에서 나노 수준의 오염입자 크기를 측정할 수 있는 측정장치가 처음으로 개발됐다.
한국표준과학연구원 진공기술센터 정광화박사팀은 과학기술부 특정연구개발사업의 일환으로 반도체제조 플라즈마 공정에서 나노크기의 오염입자를 측정하는 기술을 개발했다고 30일 발표했다.
이 기술은 레이저 백열법(LII, Laser-Induced Incandescence)을 이용한 것으로 진공중의 입자가 높은 에너지의 레이저광과 충돌해 가열되면 복사선을 내는데 이 복사선의 세기로부터 오염입자의 농도를 측정하는 기술이다.
이번 장치는 72개 항목의 진공특성 종합평가 항목중 28개 항목의 특성을 평가할 수 있는 장비로 국내 진공 부품소재 인증에 활용하고 진공부품의 국산화는 물론 해외시장 개척에도 기여할 것으로 전망된다.
또한 고집적 메모리 반도체공정의 오염입자 측정, 진공공정을 이용한 나노입자 발생공정 측정, 진공플라즈마 식각 및 증착공정의 정밀측정 등 차세대 반도체공정 및 나노소자 제작공정에 광범위하게 활용할 수 있다.
정광화박사팀은 이번 1단계 개발 성과를 발판으로 2006년까지 극청정진공기술기반구축사업으로 미래유망 신기술개발에 대비한 극청정 진공원천기술과 공정장비 기술을 확보할 계획이라고 설명했다.
표준연 진공기술센터는 연간 약 300건의 외부평가 이용자의 수요를 충족하고 있으며 진공기술교육, 산학연교류회, 기술상담 및 자문, 산학연 컨소시엄을 통한 기술이전 및 기술데이터를 제공하고 있다.
한편 지난해 국내 진공시장 규모는 세계시장의 8%로서 70억달러에 이르고 있으며 이중 90%이상을 수입에 의존하고 있다. 따라서 5%의 수입대체 효과를 거둘 경우 연 4천억원이상의 효과를 가져올 수 있다고 연구팀은 말했다.
(042)869-5009
/대전=최병관기자 venture@inews24.com
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