삼성전자, 세계 최초 20나노급 D램 양산

[김지연기자] 삼성전자가 세계 최초로 20나노미터(10억분의1미터)급 D램 반도체 양산에 들어간다.

22일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 새로 건립한 경기도 화성 16라인에서 이달부터 20나노급 D램 반도체 양산을 시작한다.

20나노대 양산이 가능해졌다는 것은 것은 경쟁사보다 보다 세밀한 공정이 가능하다는 뜻이다. 그래서 원가경쟁력도 30나노급 제품에 비해 30~40% 가량 좋아진다. 한국의 삼성전자와 하이닉스는 현재 30나노와 40나노 라인 위주인 반면, 후발업체인 일본과 대만 기업들은 40나노~50나노대 제품 위주다.

따라서 삼성전자는 이번 20나노급 양산을 계기로 경쟁사와의 기술격차를 벌리면서 반도체 시장의 주도권을 더욱 확고히 할 수 있게 됐다. 일본 엘피다가 지난 5월 20나노급 D램을 7월까지는 양산하겠다고 공언했으나 뚜렷한 움직임을 보이지 못하는 상황에서 삼성전자의 이같은 공세는 주목된다.

특히 지금처럼 반도체 시황이 좋지 않은 시기에 원가경쟁력이 우수한 20나노급 양산을 감행함으로써 불황을 타개할 수 있는 발판을 마련했다는 것도 의미있다.

한편, 삼성은 지난해 5월 경기도 화성에 16라인 건설 공사를 시작해 최근 완공했다. 이날 이건희 회장은 화성사업장에서 열리는 기공식에 참석할 예정이다.