[종합]40나노급 가는 한국D램 '따라와봐'

세계 1~2위 D램 제조사인 한국 삼성전자와 하이닉스반도체가 해외 경쟁사의 추격을 불허하는 공정기술로, 국가 간 격차를 현재보다 1~2년 더 벌려나가고 있다.

4일 삼성전자와 하이닉스는 각각 지난해 말 40나노미터급(1나노는 10억분의 1미터) 공정으로 D램을 개발하는데 성공, 관련 기업 인증을 얻었다고 밝혔다.

두 회사는 오는 3분기 40나노급 공정으로 최신 DDR3 D램 생산에 나설 계획이다.

D램, 낸드플래시메모리 등 메모리반도체는 미세공정 기술과 수율이 기업의 경쟁력을 좌우한다. 공정기술을 한 단계 미세화하면 생산력을 끌어올려 원가경쟁력을 높일 수 있다. 소비전력 및 성능이 한 차원 우수한 반도체를 만들 수 있는 것은 물론이다.

삼성전자와 하이닉스는 이미 지난해 2분기 50나노급 공정을 나란히 적용해, D램 생산에 돌입했다. 이는 업계에서 가장 앞선 기술력으로, 해외에선 점유율 3위의 일본 엘피다메모리가 올해 1분기 중 50나노급 공정을 적용하겠다는 계획을 밝힌 상태.

업계 4위의 미국 마이크론테크놀로지 역시 60나노급 공정으로 D램을 만들고 있다. 대만의 후발업체들은 엘피다와 마이크론으로부터 공정기술을 이전받기 위해 안간힘을 쓰고 있다.

삼성전자는 이날 "40나노급 공정으로 D램을 제조하면 50나노급으로 만들 때보다 생산량을 60%나 높일 수 있다"며 "제품 소비전력도 1.5V에서 1.2V로 30% 가량 낮아진다"고 설명했다.

특히 삼성전자와 하이닉스는 40나노급 D램 개발 이후 약 1년만에 대량 양산을 시작할 만큼, 생산 면에서 대응력을 높이고 있다.

보통 미세공정 기술로 한 단계 진화할 때 개발 후 양산까지 걸리는 시일은 2년 정도에 이르렀다. 현재 50나노급 공정의 수율을 대거 끌어올린 국내 두 업체는 이번 40나노급 공정의 적용과 함께 해외기업과 기술 격차를 1~2년 정도 더 벌릴 수 있게 됐다.

현재 D램 기업들은 2년여에 걸친 공급과잉과 가격급락으로 일제히 대규모 적자를 내고 있다. 업계 5위의 독일 키몬다가 '살인적인' 경쟁에서 도태돼 지난 달 파산신청을 하기에 이른 상황.

국내 기업들은 어려운 시기 연구개발(R&D) 투자를 지속해, 1~2세대 앞선 공정기술로 다가올 호황기에 대규모 수익을 창출할 전망이다.

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