삼성전자 0.12㎛ 상용 512메가 D램 개발

삼성전자(메모리사업부문 대표 황창규)는 세계 최초로 최소 회로 선폭 0.12㎛(100만분 1.2ｍ) 공정기술을 적용한 상용 512메가 D램을 개발했다고 20일 발표했다.

회로선폭 0.12㎛ 가공기술은 머리카락 한올에 900개의 가는 선을 그을 수 있는 것으로, 차세대 첨단 가공 기술 0.10㎛ 반도체 시대가 눈앞에 다가왔음을 뜻한다.

512메가 D램 반도체는 256M SD램에 비해 2배의 정보 저장 능력을 가지며 데이터 처리 속도가 266㎒로 초고속 제품이다.

기술적으로는 기존 싱크로너스 방식의 PC-100이나 PC-133 규격, DDR(Double Data Rate)방식을 동시에 지원할 수 있도록 원 칩 디자인 기술을 적용했다.

삼성전자는 512메가 D램 개발로 기존 시스템의 사양을 바꾸지 않고 메모리를 업그레이드할 수 있고 호환이 가능하다고 말했다.

또 512메가 제품 36개를 한 개의 모듈로 만들면 세계 최대 용량의 2기가 바이트 메모리 모듈

제품 제작이 가능해 대용량 PC, 중대형급 컴퓨터 시장을 선점할 수 있을 것으로 보고 있다.

삼성전자는 512메가 D램이 시장에서 개당 500 달러 가량으로 올해 하반기부터 대형 서버업체

등에 공급할 예정이다.

이와 관련 황창규 사장은 "2004년에 411억 달러 규모의 시장이 형성될 것으로 보이는 512메가 반도체의 시장에서 우위를 점할 수 있을 것"으로 전망했다.

/강호성기자 chaosing@inews24.com