삼성·SK 이어 TSMC도 美 어플라이드 '에픽 센터' 합류

[아이뉴스24 권서아 기자] 미국 반도체 장비 제조기업 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)가 TSMC와 손잡고 차세대 AI 반도체 개발 협력을 확대한다.

어플라이드는 12일 TSMC와 차세대 반도체 기술 개발 및 상용화를 위한 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다. 양사는 미국 실리콘밸리에 구축 중인 에픽(EPIC) 센터에서 차세대 로직 공정과 재료·장비·공정 통합 기술을 공동 개발할 예정이다.

에픽 센터는 어플라이드가 약 50억달러(약 7조원)를 투자해 조성 중인 차세대 반도체 공정·장비 연구개발(R&D) 시설이다. 초기 연구 단계부터 양산 전환까지 기간을 단축하는 것이 목표다. 칩 제조사와 장비·소재 기업이 한 공간에서 공정을 공동 개발하는 방식으로 운영된다.

TSMC는 이번 협력을 통해 AI·고성능컴퓨팅(HPC)용 첨단 로직 공정의 전력·성능·면적(PPA) 개선과 3차원(3D) 트랜지스터·인터커넥트 구조용 신소재 개발에 집중한다. 수직 적층 구조 확대에 따른 수율·신뢰성 확보를 위한 공정 통합 기술 개발도 한다.

미위제 TSMC 수석부사장 겸 공동 최고운영책임자(Co-COO)는 "반도체 디바이스 아키텍처가 진화하면서 재료공학과 공정 통합에 대한 요구 수준이 높아지고 있다"며 "AI 시대 과제 해결을 위해 업계 전반 협력이 필수적"이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 지난 2월 에픽 센터 첫 창립 파트너로 합류했다. 당시 양사는 첨단 패터닝·식각·증착 분야에서 원자 단위 공정 혁신을 추진하고 차세대 로직·메모리 반도체 공동 개발에 나서겠다고 밝힌 바 있다.

SK하이닉스도 지난 3월 에픽 센터 창립 파트너로 참여했다. 양사는 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발 협력에 나섰으며, 신소재·복합공정 통합·HBM용 첨단 패키징(후공정) 기술 공동 연구를 진행 중이다.

업계에서는 글로벌 AI 반도체 경쟁이 심화되면서 공정 미세화와 첨단 패키징 난도가 높아지자, 완성 칩 업체와 장비 기업 간 '조기 공동개발' 모델이 확산하는 것으로 보고 있다.

특히 2나노(나노미터·10억분의 1m) 이하 게이트올어라운드(GAA) 공정과 HBM·3D 패키징 경쟁이 본격화되면서 장비·소재 최적화 중요성도 커지고 있다.