삼성전자, 평택 P4 1c D램 투자 속도…HBM4·HBM4E 공급 포석

[아이뉴스24 박지은 기자] 삼성전자가 평택 4공장(P4) 반도체 생산라인 구축을 위한 장비 발주에 나서면서, 그동안 예고됐던 1c 나노미터(㎚) D램 투자 계획이 실행 단계에 들어간 것으로 파악된다.

13일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 에스티아이와 씨앤지하이테크, 와이씨는 각각 삼성전자와 반도체 장비 공급 계약을 체결했다.

세 계약 사업은 모두 4월 10일 시작돼 연말까지 진행된다. 계약 시점과 기간이 유사한 점을 고려하면 하나의 생산라인 구축을 위한 패키지 발주로 해석된다.

이번에 발주된 장비는 화학약품 공급 설비와 공정 점검 장비 등으로, 공장을 실제로 가동하기 위한 준비 단계에 해당한다. 업계에서는 이를 두고 “라인 구축을 넘어 가동 준비 단계에 들어간 것으로 해석된다”는 평가가 나온다.

이번 투자의 핵심은 ‘1c D램’이다.

D램은 데이터를 저장하는 반도체로, 회로를 더 미세하게 만들수록 처리 속도는 빨라지고 전력 소모는 줄어든다. 1c 공정은 현재 양산 단계에서 가장 앞선 기술로, 기존 1b 공정보다 성능과 효율이 개선된 것이 특징이다.

이 1c D램은 고대역폭메모리(HBM)에 적용된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 고성능 메모리로, 인공지능(AI) 서버에 필수 부품으로 꼽힌다.

특히 차세대 제품인 HBM4는 더 높은 성능과 전력 효율이 요구되면서, 기존보다 미세한 공정이 필요하다.

삼성전자는 HBM4부터 1c D램을 적용했다. 반면 경쟁사인 SK하이닉스는 현재 1b 공정을 활용하고 있다.

HBM4 수요가 빠르게 늘고 있는 점도 투자 배경으로 꼽힌다. 업계에서는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM4 공급이 확대되면서 삼성전자가 생산능력 확보에 속도를 내고 있다는 분석이 나온다.

이번 장비 발주 시점과 계약 기간을 감안하면 연내 라인 구축을 마치고 내년 초 가동에 들어갈 가능성이 제기된다.