DB하이텍, 갈륨나이트라이드 전력반도체 공정 개발 완료

[아이뉴스24 박지은 기자] DB하이텍이 차세대 전력반도체인 '650볼트(V)급 전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터(E-Mode GaN HEMT)' 공정 개발을 마무리하고 다음 달 말부터 고객사에 시험 생산용 웨이퍼를 제공한다고 11일 밝혔다.

갈륨나이트라이드(GaN)는 기존 실리콘 보다 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 실리콘카바이드(SiC)와 함께 차세대 전력 반도체 소재로 주목받고 있다.

인공지능(AI) 데이터센터, 전기차, 고속충전, 5G 네트워크, 로봇 등 신규 분야에서 수요도 급증하는 추세다.

시장조시가관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 올해 5억3000만달러(약 7352억 6900만원)에서 오는 2029년 20억1300만 달러(2조 7926억원)로 연평균 40%가량 성장할 전망이다.

DB하이텍이 개발한 E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기와 데이터센터용 전력변환기, 5G 통신 분야에 활용될 수 있다는 게 회사의 설명이다.

DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다.

충북 음성에 자리한 상우캠퍼스에 클린룸 확장도 추진 중이다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 5000장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다.

증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4000장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다.

DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다.

한편, DB하이텍은 오는 15~18일 부산 벡스코에서 열리는 '국제탄화규소 학술대회'에 참가한다.