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'HBM' 자신감 보인 SK하이닉스…곽노정 사장 "내년 물량 대부분 솔드아웃"


'HBM3E' 12단 제품 조기 양산…"5월 샘플 출시후 3분기 양산 예정"
"청주 M15X·용인 클러스터·미국 투자로 AI 메모리 수요 적기 대응"

[아이뉴스24 권용삼 기자] "고대역폭메모리(HBM)는 생산 측면에서 보면 올해의 경우 이미 완판됐으며, 내년(생산할 물량)도 대부분 솔드아웃됐습니다."

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 이같이 말했다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 발언하고 있다. [사진=SK하이닉스]
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 발언하고 있다. [사진=SK하이닉스]

곽노정 사장은 이날 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "이에 따라 AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 말했다.

이어 "SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다"며 "앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것"이라고 덧붙였다.

그러면서 곽 사장은 올해 HBM 시장 최대 격전지로 꼽히는 5세대 HBM(HBM3E) 12단 제품을 오는 3분기 양산한다는 계획을 공개했다. 그는 "HBM 기술 측면에서 보면 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라며 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"고 강조했다.

특히 곽 사장은 HBM이 '선생산 후판매' 방식이 아닌 고객사의 주문에 따라 만들어 공급하는 제품이기 때문에 공급 과잉에 대한 우려가 적은 품목이라고 설명했다. HBM 누적 매출에 대해서는 "정확히 짚어서 설명할 수는 없지만 2016년부터 2024년까지 누적 매출이 130억~170억달러로 예상된다"고 말했다.

곽노정(왼쪽에서 두번째) SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 발언하고 있다.[사진=SK하이닉스]
곽노정(왼쪽에서 두번째) SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 발언하고 있다.[사진=SK하이닉스]

이와 함께 HBM 과잉 공급에 대한 우려에 대해서 곽 사장은 "올해 늘어나는 HBM의 공급 능력은 고객과 협의를 완료한 상태에서 고객 수요에 맞춰서 공급량을 증가시키는 것"이라며 "HBM 시장은 기존과 다른 성격이 있어서 고객의 수요를 기반으로 투자를 집행하는 성격이 강하고 과잉 투자를 억제할 수 있는 특징이 있다"고 일축했다. 이어 "HBM4 이후가 되면 맞춤형(커스터마이징) 니즈(요구)가 증가하면서 트렌드화되고 수주형 비즈니스로 옮겨갈 것이기 때문에 과잉 공급에 대한 리스크는 줄어들 것"이라고 덧붙였다.

아울러 이번 기자간담회에서 SK하이닉스는 AI 시대에 들어서면서 데이터 총량과 관련 메모리 반도체 수요가 급격히 증가할 것으로 전망했다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 "지난해 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지한 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중은 2028년 61%에 달할 것"이라고 예측했다.

이어 "D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했다"며 "낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 쿼드레벨셀(QLC) 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"고 강조했다. 그러면서 "HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리 솔루션, PIM 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"고 덧붙였다.

2일 경기도 이천 SK하이닉스 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회 모습. [사진=SK하이닉스]
2일 경기도 이천 SK하이닉스 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회 모습. [사진=SK하이닉스]

이 밖에 SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 'MR-MUF' 기술의 경쟁력도 강조했다. 최우진 P&T 담당 부사장은 "MR-MUF 기술이 고단 적층에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않다"며 "어드밴스드 MR-MUF 기술로 이미 HBM3 12단 제품을 양산하고 있고 칩의 휨 현상 제어에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 설루션"이라고 설명했다.

'MU-MUF' 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고 공정 시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며 열 방출도 45% 향상시킨다. 신규 보호재를 적용해 방열 특성도 10% 더 개선했다.

최 부사장은 "16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중"이라며 "HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 덧붙였다.

SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도. [사진=SK하이닉스]
SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도. [사진=SK하이닉스]

아울러 이날 기자 간담회에서 청주 'M15x'와 용인 클러스터 투자에 대한 언급도 나왔다. 김영식 제조기술 담당 부사장은 "급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요해 이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 했다"며 "M15x 팹은 지난달 건설 공사에 착수했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 전했다.

이어 용인 클러스터에 대해서는 "부지 조성이 순조롭게 진행되고 있다"며 "SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행 중"이라고 말했다. 이어 "클러스터에는 미니팹도 건설할 예정"이라며 "미니팹에서 소부장 업체의 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있다"고 덧붙였다.

한편 미국 인디애나주 어드밴스드 패키징 공장 일정에 대해서는 최 부사장은 "2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라며 "주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력도 양성할 것"이라고 말했다.

또 최근 지정학적 이슈 등으로 중국 다롄 낸드 공장 운영 유지가 어렵다는 지적에 관해 류병훈 미래전략 담당 부사장은 "다롄 팹 운영 방안을 말하기는 이르다"면서도 "내년 3월 온전히 SK하이닉스 소유가 된다. 그때 시장 수요와 지정학적 상황, 본사 운영 계획 등을 보면서 장기 운영 전략을 결정할 예정"이라고 강조했다.

/권용삼 기자(dragonbuy@inews24.com)







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