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"HBM 1위 지킨다"…SK하이닉스, 자신감 이유는


12단 HBM3, 최고 용량 구현…하반기부터 신제품 공급 시작

[아이뉴스24 서민지 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 1위 리더십을 이어가겠다는 자신감을 드러냈다.

SK하이닉스 12단 HBM3 개발진들은 9일 회사 뉴스룸을 통해 공개된 인터뷰에서 "SK하이닉스가 명실상부 HBM 강자로 자리매김한 만큼 다음 세대인 HBM3E, HBM4에서도 글로벌 1위 자리를 굳건히 해 나가겠다"고 밝혔다.

12단 HBM3 [사진=SK하이닉스 뉴스룸]
12단 HBM3 [사진=SK하이닉스 뉴스룸]

HBM은 여러 개의 D램 칩을 실리콘관통전극(TSV)으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 빅데이터, 챗GPT 등 인공지능(AI) 서비스 열풍이 거세지면서 이를 지원하는 고성능 반도체 기술 경쟁도 치열해지고 있다.

현재 HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)를 거쳐 4세대(HBM3)까지 개발된 상태다.

SK하이닉스는 글로벌 HBM 시장에서 1위를 기록하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 HBM 시장에서 SK하이닉스는 점유율 50%로 1위에 올랐다. 이어 삼성전자(40%), 마이크론(10%) 순이다.

SK하이닉스는 기술 혁신을 통한 최고 용량 구현으로 고객사 신뢰를 확보했다고 봤다. SK하이닉스의 12단 HBM3는 제품 안에 적층되는 D램 칩의 개수를 8개(기존 16GB 제품)에서 12개로 늘려 용량을 50% 높였다. 이를 통해 SK하이닉스는 현존 최대 용량 24GB를 구현하면서도 전체 높이는 16GB 제품과 동일하게 유지했다.

실제 고객사들의 긍정적인 평가가 잇따르고 있다. AMD 메모리 제품 부문 총괄 책임자인 로먼 키리친스키 부사장은 "AI 모델이 빠르게 성장하며 초고속, 고용량 메모리에 대한 수요를 이끌고 있다"며 "이러한 흐름에 발맞춰 새로운 HBM 메모리를 지속 개발해내고 있는 SK하이닉스의 노력에 감사한다"고 밝혔다.

김왕수 SK하이닉스 D램상품기획 PL은 "이 제품을 통해 시스템온칩(SoC) 업체들은 시스템 안에 추가 공간을 확보할 필요 없이 동일 크기의 제품으로 1.5배의 용량 상승 효과를 얻을 수 있다"며 "많은 고객사가 우리 기술력에 높은 신뢰를 보이고 있고, 회사는 올해 하반기부터 신제품 공급을 시작할 것"이라고 말했다.

SK하이닉스가 개발한 12단 적층 HBM3 [사진=SK하이닉스 ]
SK하이닉스가 개발한 12단 적층 HBM3 [사진=SK하이닉스 ]

SK하이닉스는 기존 8단 HBM3 양산 이후 10개월여 만에 12단 HBM3를 개발했다. 40% 얇아진 D램 칩 12장을 기존보다 13% 좁은 간격으로 쌓다 보니 칩을 제어하기 힘들고 공정을 적용하기 어려웠는데, '어드밴스드 MR-MUF' 공정 도입으로 해결했다.

권종오 웨이퍼레벨패키지(WLP) BE개발 PL은 "어드밴스드 MR-MUF는 얇아진 웨이퍼가 휘지 않도록 제어하는 신규 기술이 들어갔다"며 "또 12단으로 쌓는 과정에서 칩과 칩 사이를 잇는 범프들이 고르게 연결되도록 강한 열을 순간적으로 가해 가접합했고, 진공 상태에서 방열성 높은 신규 EMC 소재를 밀어 넣고 70톤의 압력을 가해 칩 사이사이 좁은 공간에 채워 넣었다"고 설명했다.

이어 "어드밴스드 MR-MUF는 기존 MR-MUF의 장점은 고스란히 살리면서 생산성은 약 3배, 열 방출은 약 2.5배 끌어올렸다"고 강조했다.

/서민지 기자(jisseo@inews24.com)







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