삼성·SK 텃밭 '메모리'…출사표 던진 中


내년 3개 팹 통해 본격적인 양산 돌입, 니치 시장 우선 집중

[아이뉴스24 김문기기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 메모리 시장에서 독보적인 강세를 보이고 있는 가운데, 내년 중국이 비메모리, 파운드리 사업 역량 강화에 이어 메모리 시장에 도전장을 내민다. 정부주도의 전폭적 지지와 내수시장의 폭넓은 수요층을 기반으로 빠른 속도의 성장이 예견된다.

23일 업계에 따르면 중국은 건설 또는 건설을 계획중인 메모리 팹이 약 12개 수준으로, 이 중 3개 팹이 내년 시운전을 돌입해 본격적인 양산을 시작할 전망이다. 대체적으로 내년 상반기 관련 장비를 입고받은 후 하반기 시제품 양산, 연말 본격적인 생산에 돌입할 것으로 추정된다.

글로벌 메모리 시장에서는 폭발적인 수요 대비 공급량이 부족한 상태가 계속되고 있다. 이에 따라 메모리 가격이 상승하면서 어느 때보다 긴 호황기를 누리고 있다. 이에 따라 반도체 업체들의 캐팩스(CAPEX) 투자가 단행되고 있으나 예전만큼 빠르게 수요를 따라잡지 못할 것으로 보인다. 과거 미세공정 및 설비보완을 통해 큰 폭의 빗그로스 향상이 가능했으나 스케일링의 한계와 공정 전환에 따른 손실이 이어지면서 과도기 현상에 직면했다.

글로벌 메모리 시장에서 한국은 절반 이상의 점유율을 기록할 정도로 강한 면모를 보이고 있다. IHS마킷에 따르면 지난 2분기 D램 분야에서 삼성전자는 75억2천800만달러(한화 약 8조4천억원)의 매출을 기록해 45.1%의 점유율을 가져갔다. SK하이닉스도 44억7천700만달러(한화 약 4조9천억원)의 매출을 기록해 26.8%를 점유했다. 두 업체만으로도 점유율 70%를 넘긴다. 낸드 부문에서도 삼성전자는 38.3%, SK하이닉스는 10.6%로 절반에 육박한다.

이에 비해 중국은 비메모리 설계와 파운드리 역량을 갖췄지만 메모리 시장에서의 영향력은 미미한 상태다. 그럼에도 불구하고 중국이 위협적인 지역이라고 평가내릴 수 있는 이유는 정부의 적극적인 지원정책과 폭발적 수요에 중심인 넓은 내수시장에 기댈 수 있기 때문이다.

중국은 ICT 제조 분야를 육성하는 중국 제조 2025 전략 하에 지자체, 금융권과 협력해 전폭적 자금 지원을 아끼지 않고 있다. 10%대에 머물러 있는 반도체 자급률을 오는 2025년까지 70% 가량 올려놓는 것이 목표다. 당장 내년만 해도 한국에 이어 글로벌 반도체 장비 투자 2위에 오를 것으로 추정된다.

칭화유니그룹은 내년 하반기 중국 우한에 건설한 팹을 통해 3D 낸드플래시 양산을 시작한다. 300mm 웨이퍼 월 10만장을 소화할 계획으로 2년 내 3배 수준의 생산량 확장을 목표로 한다. 또한 반도체 업체인 XMC를 인수해 설립한 창장춘추과기를 통해 난징에도 3D 낸드플래시 팹 건설에 돌입한다. 칭화유니그룹은 지난 10월 32단 3D 낸드플래시 양산 기술을 확보한 것으로 알려지기도 했다.

푸젠진화와 루이리IC는 각각 중국 진장과 헤페이에 D램 팹을 건설하고 내년 하반기부터 D램 양산에 돌입한다. 푸젠진화는 대만의 파운드리 UMC와 푸젠성이 나서 합작한 업체로, UMC가 32 및 28나노 D램 기술을 전수한다. 월 6만장을 소화할 계획이다. 루이리IC의 경우 월 10만장을 목표로 한다.

내년 하반기부터 생산에 돌입하는 중국은 오는 2019년부터는 본격적으로 시장에 영향을 미칠 전망이다. 다만 선두주자와의 기술 격차와, 품질 검증, 양산 수율 확보를 위한 시간이 필요할 것으로 관측된다. 당장은 시장에 큰 영향을 미치지 않을 것이라는 게 업계 중론이다.

업계 관계자는 "중국은 오는 2022년까지 니치 시장에서 경쟁력 있는 포지션을 유지할 것이라 생각한다. 2022년까지의 과정이 중요하다고 할 수 있는데, 이 사이에 중국 메모리 필드 검증이 이뤄질 것이고 이에 따른 도약의 기회를 얻을 것으로 보인다. 이후부터는 기술 난이도를 얼마만큼 끌어 올려 상위 시장에 진입할 수 있을 것인지가 관건이 될 것"이라고 말했다.

한편, 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 캐팩스 투자를 확대, 늘어나는 수요에 탄력적으로 대응하겠다는 방침이다.

삼성전자는 4분기 상당부분의 설비투자금액을 반도체에 쏟아붙는다. 주로 신규 부지 조성과 클린룸 공사에 등 인프라 구축에 쓴다.

3D 낸드 생산을 위해 평택 1라인 증설과 D램 공정전환을 위한 투자가 진행된다. 화성 11라인 D램 일부 캐파를 CIS로 전환하고, 10나노급 공정 전환을 실시하고 있다. 이에 따라 화성 16라인의 2D V낸드 일부 캐파를 D램으로 전환할 계획이다. 당초 3D 낸드 생산으로만 활용하고자 했던 평택 2층에 D램 증설을 포함시켰다.

SK하이닉스도 올해 캐팩스 투자 비용을 늘렸다. 약 9조6천억원 이상을 투입한다. 이천 M14 2층 페이즈1을 50% 가량 완성했다. 3D 낸드가 생산되고 있다. 나머지 50%에 대한 공사가 진행 중이다. 연말 완료 예정으로 장비 입고가 이어질 계획이다. 일부 공간은 D램 미세공정 전환에 필요한 장비 입고를 위해 당분간 사용할 계획이다.

김문기기자 moon@inews24.com







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