中이 띄운 차세대 D램 '4F²'…삼성도 개발하냐는 질문에 송재혁 "그렇다"

[아이뉴스24 권서아 기자] 중국 최대 반도체 기업이 차세대 D램 기술 개발에 속도를 내는 가운데 삼성전자도 메모리 집적도를 높이는 '4F²(포에프스퀘어)' 기술을 개발 중인 것으로 확인됐다.

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO·사장)는 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 4F² 기술을 개발하고 있느냐는 취재진의 질문에 "그렇다"고 답했다.

4F²는 D램의 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀(Cell)의 면적을 줄이는 차세대 기술이다. 현재 주로 사용되는 6F² 구조보다 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있어 같은 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

최근 세계 4위이자 중국 1위 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 4F² 기술 개발에 진전을 보이면서 업계의 관심이 높아지고 있다.

CXMT는 수직 환형 게이트(VSG) 트랜지스터를 활용한 4F² 셀 구조를 개발하고 이를 적용한 서버용 DDR5 메모리 모듈(RDIMM)을 연내 출시할 계획인 것으로 알려졌다.

삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 D램 미세화의 한계를 극복하기 위한 차세대 셀 구조 연구를 진행해 왔다. 기존 D램은 회로 선폭을 줄이는 방식으로 집적도를 높여왔지만 공정이 미세해질수록 기술적 난도가 높아지고 있다.

4F² 기술은 셀 면적을 줄일 수 있다는 장점이 있지만 공정 복잡성과 수율 확보 등이 상용화를 위한 과제로 꼽힌다.

삼성전자의 구체적인 기술 개발 단계와 양산 일정은 공개되지 않았다. 중국 기업들이 차세대 D램 기술 확보에 속도를 내면서 국내 메모리 업체들의 기술 개발 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.