삼성전자, DDR6부터 차세대 패키징 기술 적용

미세 회로 구현에 용이한 MSAP 적용 전망

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 개발 중인 DDR6 규격의 D램에 차세대 반도체 패키징 기술을 적용할 전망이다.

18일 업계에 따르면 삼성전자는 DDR6 D램에 MSAP(Modified Semi Additive Process)를 적용할 예정이다.

반도체 업체들이 개발 중인 D램의 차세대 규격인 DDR6는 DDR5 대비 두 배 가량 빠른 데이터 전송 속도를 지원할 예정이며, 상용화까지 6년 이상의 시간이 소요될 것으로 예상된다.

삼성전자는 여기에 MSAP 공정을 적용할 전망이다. 반도체 공정에서 인쇄회로기판(PCB) 제작 공법은 크게 텐팅과 MSAP로 나뉜다.

텐팅은 원하는 회로 두께만큼 도금한 뒤에 회로가 남을 부분만 코팅하고 나머지를 날려버리는 방식이다.

MSAP는 텐팅과 달리 회로가 아닌 부분을 코팅하고 빈 부분을 도금해 회로를 형성한 뒤 식각(에칭) 공정을 거치면 마무리된다. 텐팅은 에칭할 부분을 고려해 설계하지만 MSAP는 이를 생각하지 않아도 된다. MSAP 공법이 미세한 회로 구현에 더 용이한 셈이다.

고영관 삼성전자 TSP총괄 상무는 최근 경기 수원 컨벤션센터에서 열린 '반도체융합부품 실장기술 및 전자소재 세미나'에서 "패키징 기술은 메모리 반도체가 강력해지면 함께 진화해야 한다"며 "DDR6가 도입되면 MSAP를 적용할 수 있다"고 말했다.

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