인텔, 칩 소비전력 및 발열 처리 신기술 개발

인텔은 반도체 고집적화의 최대 걸림돌이던 소비전력 증대와 발열(發熱) 문제를 해결한 새로운 가공기술을 개발했다고 25일 보도했다.

이날 외신 보도에 따르면 인텔은 반도체의 트랜지터 전극부를 두텁게 해 저항을 억제하고, 실리콘 기판 내부에 누전을 차단하는 절연체를 넣는 등 3가지 새로운 가공기술을 개발했다.

2005년 실용화를 목표로 하고 있는 이들 신기술을 채택할 경우 오는 2010년 까지 트랜지스터 수를 수십억개 까지 집적 가능할 것으로 보여 2년 마다 반도체의 집적률을 2배로 향상시킬 수 있다는 '무어의 법칙'이 이 때까지는 계속 유용할 것으로 관측된다.

칩 하나에 4천200개 정도의 트랜지스터를 집적하고 있는 펜티엄4의 경우 1평방 cm당 흐르는 전력은 50와트 정도로 방열판과 핫플레이트 등을 부착하더라도 칩 하나 당 트랜지스터 집적수가 10억 정도에 이르는 2007년 정도면 집적도의 한계에 봉착할 것으로 예측됐다.

'무어 법칙'의 발견자로 인텔의 공동 창업자 가운데 하나인 고든 무어는 “실리콘 분자의 크기가 결정돼 있는 이상 반도체 집적도에는 물리적 한계가 있을 수밖에 없다”고 말해 왔는데 인텔의 이번 기술 개발로 어쨌든 집적도의 한계를 상당 정도 늦출 수 있게 됐다.