KAIST, 새로운 '영구 메모리' 기술 발표…"테라바이트 메모리 시대 연다"


정명수 교수팀, '메모리 오버 스토리지' 기술 제안

(왼쪽부터) KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수, 장지에 박사후연구원, 권미령 박사과정, 국동현 박사과정 [KAIST 제공]

[아이뉴스24 최상국 기자] KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 비휘발성 메모리와 초저지연 SSD를 하나의 메모리 공간으로 통합해 성능과 용량을 대폭 늘린 '메모리-오버-스토리지(Memory-over-Storage, 이하 MoS) 기술을 개발했다고 16일 발표했다.

연구팀은 이 기술로 인텔 옵테인 대비, 메모리 슬롯당 4배 이상인 테라바이트 수준의 저장 용량을 제공하면서도 휘발성 메모리(D램)과 유사한 수준의 데이터 처리 속도를 달성했다고 밝혔다.

연구팀이 제안한 기술은 비휘발성 메모리(NVDIMM)와 초저지연 SSD를 하나의 메모리로 통합한 새로운 영구 메모리(Persistent Memory) 기술이다.

연구팀의 설명에 따르면 기존 NVDIMM의 경우 운영체제의 도움 없이 CPU가 직접 비휘발성 메모리에 접근할 수 있다는 장점이 있으나, DRAM을 그대로 활용하고 배터리 크기를 무한히 키울 수 없어 대용량 데이터를 처리할 수 없다는 문제가 있다. 대안으로는 인텔의 옵테인 메모리 기술이 있으나, 비휘발성 메모리에 접근할 때마다 운영체제의 도움이 필요해 NVDIMM에 비해 50% 수준으로 읽기/쓰기 속도가 떨어진다.

연구팀이 제안하는 MoS 기술의 개요 [KAIST]

정 교수팀이 제안한 MoS 기술은 초저지연 SSD를 주 메모리로, NVDIMM을 캐시메모리로 활용한다. SSD의 대용량의 저장 공간을 메모리로 사용하게 해줌과 동시에 NVDIMM 단독 사용 시와 유사한 성능을 얻음으로써 미래 영구 메모리 기술들이 가지는 한계점들을 전면 개선했다.

MoS 기술은 메인보드나 CPU 내부에 있는 메모리 컨트롤러 허브(MCH)에 적용돼 사용자의 모든 메모리 요청을 처리한다. 사용자 요청은 일반적으로 NVDIMM 캐시 메모리에서 처리되지만 NVDIMM에 저장되지 않은 데이터의 경우 초저지연 SSD에서 데이터를 읽어와야 한다. 기존 기술들은 운영체제가 이러한 SSD 읽기를 처리하는 반면, 개발된 MoS 기술은 MCH 내부에서 하드웨어가 SSD 입출력을 직접 처리함으로써 초저지연 SSD에 접근 시 발생하는 운영체제(OS)의 입출력 오버헤드(추가로 요구되는 시간)를 완화했다.

특히 소프트웨어 기반 메모리 드라이브나 옵테인 영구 메모리 기술 대비 45% 절감된 에너지 소모량으로 110%의 데이터 읽기/쓰기 속도 향상을 달성했다. 이는 대용량의 메모리가 필요하고 정전으로 인한 시스템 장애에 민감한 데이터 센터, 슈퍼컴퓨터 등에 사용되는 기존 메모리/미래 영구 메모리를 대체할 수 있을 것으로 기대된다.

정명수 교수는 "미래 영구 메모리 기술은 일부 해외 유수 기업이 주도하고 있지만, 이번 연구성과를 기반으로 국내 기술과 기존 스토리지 및 메모리 기술을 통해 관련 시장에서 우위를 선점할 수 있는 가능성을 열었다는 점에서 의미가 있다"고 강조했다.

한편 이번 연구는 올해 6월에 열릴 세계 3대 컴퓨터 구조 분야 학회인 이스카(ISCA, International Symposium on Computer Architecture 2021'에 채택돼 발표될 예정이다. (논문명: Revamping Storage Class Memory With Hardware Automated Memory-Over-Storage Solution)

자세한 내용은 연구실 웹사이트(camelab.org)에서 확인할 수 있다.

/최상국 기자(skchoi@inews24.com)






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