D램 선두권, DDR3 생산 본격화

세계 D램 선두권 기업들이 한층 더 낮은 전력을 소비하는 DDR3 D램을 본격 생산, 소비자들이 더 높은 성능의 노트북을 더 오래 쓸 수 있는 기회를 얻고 있다.

D램 업계 3위의 미국 마이크론테크놀로지는 1.35볼트(V)의 소비전력으로 1천333메가헤르츠(MHz) 성능을 내는 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 출시한다고 지난 19일 발표했다.

업계 4위의 일본 엘피다메모리도 지난달 1.35V DDR3 D램 샘플을 발표하고, 내년 초부터 본격 양산하겠다고 밝혔다.

업계 1~2위의 국내 삼성전자, 하이닉스반도체는 이들보다 1년 정도 앞서 50나노미터급 공정으로 DDR3 D램을 생산하면서, 1.35V의 소비전력을 구현하고 있다.

삼성전자의 경우 지난 19일 40나노급 공정으로 제조한 4Gb DDR3 D램으로, 1.35V 전력을 소비하는 32기가바이트(GB)의 대용량 서버용 모듈까지 업계 최초로 발표한 상태다.

DDR3 D램은 평균 1천66MHz 성능을 내며, 1.5V 전력을 소비한다. 이로써 평균속도가 667MHz, 소비전력은 1.8V인 DDR2 D램보다 속도가 2배 가량 빠르고, 소비전력도 17% 정도 낮다.

최근 D램 선두기업들은 DDR3 D램 소비전력을 1.35V로 DDR2 D램보다 25% 낮추는 한편, 성능은 1천600MHz~2천133MHz까지 대거 끌어올리고 있다. 소비자들은 이러한 고성능 DDR3 D램 메모리 모듈을 노트북에 탑재해, 제품 성능은 높이고 사용시간은 늘릴 수 있다.

마이크론의 로버트 피욜 부사장은 "1.35V, 1천333MHz DDR3 D램 메모리를 활용해 소비자들은 데스크톱 수준의 성능을 지닌 노트북을 이전보다 더 오래 사용할 수 있게 될 것"이라고 말했다.

삼성전자, 하이닉스는 뒤늦게 DDR3 D램 시장에 뛰어들고 있는 해외업체들과 비교해 성능, 소비전력, 용량, 제품군, 원가 등에서 앞선 경쟁력을 확보해 격차를 더 크게 벌릴 전망이다. 두 회사가 하반기 나란히 40나노급 공정으로 DDR3 D램을 양산하는 것과 달리 마이크론, 엘피다 등은 최근 60나노급에서 50나노급으로 전환하는데 나서고 있는 상태다.

업계에 따르면 올해 말~내년 초 국내 D램 선두기업들의 DDR3 D램 생산비중이 현재 주력인 DDR2 D램의 비중을 넘어설 것으로 예상되고 있다.